达西浓纳米自主研发生产的氧化铝抛光液 AL30 在半导体抛光中，以材料端的纳米级粒径可控、化学 - 机械协同抛光、高稳定性与低缺陷为核心优势，对比国外同类产品还具备自主可控、性价比与服务响应快的突出价值，适合 12 寸及以下晶圆、先进封装与化合物半导体等场景。
一、材料本身的应用优势
磨料性能可控
选用α 相纳米氧化铝（莫氏硬度 9），粒径 100nm 且分布窄，类球形形貌降低划痕风险，可实现原子级平整度，适配硅、SiC、GaN、磷化铟等半导体衬底 / 晶圆的精抛需求。
固含量≥30%，配合表面改性与分散技术，颗粒长期悬浮无沉淀，自动化产线可连续数小时稳定使用，减少设备停机与浓度调整频次。
化学 - 机械协同抛光体系
水基配方搭配 pH 调控与氧化剂，在机械研磨同时形成柔性氧化膜，降低机械应力，减少亚表面损伤，兼顾高去除率（适合 STI、ILD 及金属层抛光）与低缺陷率。
化学惰性强，不与半导体常用金属 / 介电材料反应，抛光后无残留吸附层，超声 / 兆声清洗即可高效去除杂质，提升后续良率。
高稳定性与绿色环保
自研分散体系保障 6 个月以上不分层、不团聚，储存与运输成本低，使用前无需复杂预处理。
二、典型应用场景与价值体现
晶圆制造：硅片 / 碳化硅 / GaN 衬底精抛，去除表面变形层与微缺陷，实现全局平坦化，支撑先进制程良率提升。
先进封装：TSV、Bumping、HBM 等环节的介电层 / 金属层抛光，兼顾高去除率与低损伤，适配国内封测厂产能扩张需求。
化合物半导体：磷化铟芯片抛光，解决硬质材料抛光效率低、易损伤的痛点，助力国产光电子芯片制造。
