应用说明
以纳米氧化铈（CeO₂）和氧化铝（Al₂O₃）为代表的抛光材料，是半导体晶圆和精密光学元件化学机械平坦化（CMP）工艺的核心。其作用不仅在于纳米级硬质颗粒的机械微切削，更关键的是纳米粒子表面与工件材料（如SiO₂、硅）在抛光液环境下发生可控的软化学反应，形成易于去除的软化层，从而实现全局超高平整度（原子级）且无亚表面损伤的超光滑表面。
产品优势
纳米级平整
实现Ra<0.5nm的超光滑表面
高材料去除率
提高抛光效率30%以上
低缺陷率
表面划痕和颗粒污染减少80%
良好分散稳定性
悬浮稳定性>6个月，无沉降
作用机理
化学机械抛光(CMP)通过协同作用实现超精密表面加工
化学作用
机械作用
表面平整
化学作用
抛光液与工件表面发生化学反应，形成易于去除的软化层，为机械去除创造条件。
基础反应
机械作用
纳米磨料在压力下机械去除化学反应形成的软化层，实现精确的材料去除控制。
精确去除
表面平整
化学与机械协同作用实现表面纳米级平整，显著降低表面粗糙度，达到镜面效果。
最终效果
CMP工艺原理图解
抛光液
化学腐蚀
软化层
反应生成
纳米磨料
机械去除
高精度
表面粗糙度可达纳米级
高效率
化学机械协同加速处理
全局平坦
实现晶圆级平整度
CMP抛光机理：
化学作用
机械作用
表面平整
化学机械抛光(CMP)通过协同作用实现超精密表面加工
粒径分布控制
抛光材料粒径分级
粗抛
(50-100nm)
15%
适用：快速去除，粗加工阶段
中抛
(20-50nm)
30%
适用：过渡抛光，中等精度要求
精抛
(10-20nm)
40%
适用：精密抛光，高表面质量要求
超精抛
(5-10nm)
15%
适用：超精密抛光，纳米级精度要求
技术说明
- D50控制精度：±2nm 确保批次一致性
- 粒径分布：严格控制在设定范围内
- 大颗粒控制：>200nm颗粒含量＜0.1%
表面粗糙度对比
